这种临界行为仅限于在密度-电场平面上的一小部分区域，千兆并且归因于从正常金属到自旋极化相关态的相变。

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体相非辐射复合：千兆众所周知，体相电荷非辐射复合主要源于钙钛矿吸光层、电子传输层、空穴传输层和电极。据报道，光纤单晶钙钛矿薄膜的缺陷密度（MAPbI3：1010–1011 cm-3）远远低于多晶钙钛矿薄膜（MAPbI3：1016–1017 cm-3）。

入户大多数钙钛矿薄膜体相的缺陷都是浅能级的点缺陷。

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